公告显示,公司拟投资 99,877.18 万元,拟在常州市新北区新建泛半导体装备产业化项目(超高效太阳能电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备产业化项目),主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置,并经过产业化验证后,形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地。
该项目计划建设期为 2 年,完全达产后每年新增 20GW Perc+高效新型电池湿法设备,新增 20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。
公司拟投资 33,438.34 万元,拟在深圳市坪山区新建二合一透明导电膜设备(PAR)产业化项目,主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置。该项目计划建设期为 2 年,完全达产后每年新增 50 套HJT电池镀膜设备(PAR)。
公告显示,目前,光伏行业正处在PERC电池扩产高峰期,逐步向PERC+、HJT拓展阶段,公司HJT电池生产设备国产化正在积极推进中,背钝化技术氧化铝镀膜设备研发已形成批量生产销售,PERC+电池工艺技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段。本次募集资金投资项目的建设,将释放公司PERC+电池设备和HJT电池设备产能,加快公司产品升级迭代,进一步提升公司竞争力。
原标题:捷佳伟创拟新增年产40GW光伏电池设备产能