推动高能效创新的安森美半导体，推出了新的电源模块，在高度集成和紧凑的封装中提供极佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然强固的电源半导体器件阵容。

太阳能逆变器、不间断电源(UPS)逆变级和工业变频驱动器(VFD)等应用中的功率级通常由分立的IGBT/MOSFET集成专用的驱动器和额外的分立器件构成。安森美半导体新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模块(PIM) 提供紧凑、高度集成的方案，采用易于贴装的封装，节省空间和降低成本，极大地减轻设计人员的挑战。

这些器件采用Q1和Q2封装，用于30 KW和50 KW逆变器，集成场截止沟槽IGBT和快速恢复二极管，提供更低的导通和开关损耗，并使设计人员能够在低VCE(SAT)和低EON / EOFF损耗之间折衷，以充分优化电路性能。直接键合铜(DBC)基底支持大电流，最大限度地降低寄生电感的影响，令设计人员实现高的开关速度，以及以12.7 mm的爬电距离提供3000 Vrms的隔离电压。

此外，安森美半导体还推出了新的、充分优化的、超紧凑的智能功率级(SPS)多芯片模块FDMF3170，用于服务器、数据中心、人工智能加速器和电信设备中的DC-DC 降压转换器。它集成两个基于安森美半导体PowerTrench?技术的高性能功率MOSFET，和一个具有高精度电流传感器的智能驱动器以实现最佳的处理器性能。

这两个新的电源模块将在Electronica展会期间在安森美半导体展台演示，突显基于半导体的高能效方案对于开发成功的电源转换和电机控制(PCMC)设计至关重要。展台演示将重点展现安森美半导体的方案在工业电源、太阳能和电机驱动器开创了领先地位，并将包括一个机器人展示以及太阳能和电池储能装置。

安森美半导体提供最广泛的电源半导体器件阵容，采用创新的封装格式，支持全球迈向更清洁、高可靠性和具性价比的能源设计。该阵容包括基于先进宽禁带(WBG)材料的器件、用于所有电机类型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全集成的驱动器。这些器件一起显著提高现代应用所需的高能效、可靠、紧凑和低成本的电源方案，持续推动能源革命。

原标题：安森美半导体推出新的电源模块，为太阳能和工业电源应用 提供高能效方案