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目标直指平价上网 保利协鑫重磅发布新型单晶G3硅片
日期:2017-04-20   [复制链接]
责任编辑:xiaoguang 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]
 编者按:4月19日,伏材料龙头保利协鑫在2017 SNEC国际太阳能产业及伏工程展览会上重磅发布G3新型单晶硅片产品。据介绍,该产品使用铸锭技术生产单晶,在效率、品质、成本、产量上综合了单晶和多晶各自的优势。
万跃鹏
来自多家电池组件企业的数据显示,新型单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点,同时在成本上有明显优势,对的高效化、平价化发展意义重大,引发伏业界的广泛关注。

据介绍,铸锭单晶硅片G3基于保利协鑫最新的整锭全单晶技术平台,批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%,在PERC电池工艺下可达20.85%,与同样工艺的直拉单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比,整锭单晶硅片面积更大,组件封装损失更小。普通单晶电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦,应用PERC工艺可达295-300瓦。

不仅如此,G3硅片还继承了铸锭技术产品“衰”较低的优点,氧含量仅为直拉单晶的一半,甚至优于常规多晶硅片,因而由此带来的组件衰显著优于传统直拉单晶。对应用端来说,G3新产品同时实现了“高效率”、“低衰减”的双重目标,实际输出功率更高。

保利协鑫首席技术官万跃鹏在发布会上坦言对G3新产品同时实现高效率、低成本的信心。他表示,由于铸锭单晶技术产出的同样是晶向一致、位错密度低的单晶,可与传统直拉单晶一样使用碱制绒工艺,因此转换效率非常接近直拉单晶产品,并完全适用于PERC等高效电池技术,带来更高的产品效率。同时,G3新型单晶使用铸锭技术,单次投料量大,生产成本明显优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。再加上G3产品杂质低,可采用金刚线切片技术,因此降本成效显著。

万跃鹏表示,保利协鑫预测2020年前可以实现伏平价上网,并据此制定了伏材料的成本下降路线图。根据规划,保利协鑫预计在2020年前硅片成本下降30%,全新一代铸锭单晶技术就是关键性发展方向之一。业界也对此寄予厚望。晋能科技总经理杨立友博士在发布会上表示,就铸锭技术而言,G3新型单晶产品带来了转换效率的“质”的提升,相信在国内强大的伏产业链的支撑下,铸锭单晶技术在未来将有很大的发展空间。

原标题:目标直指平价上网 保利协鑫重磅发布新型单晶G3硅片
 
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