据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统“，公开号CN117219682A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本申请涉及太阳能电池技术领域。本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括：基底；隧穿氧化层，层叠设置于基底的一侧表面，隧穿氧化层为至少包括硅元素和氧元素的氧化层；多晶硅掺杂导电层，层叠设置于隧穿氧化层的背离基底的一侧；其中，隧穿氧化层还掺杂有碳元素和氢元素。本申请的太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统中，隧穿氧化层的成膜质量较好，电池效率较高。

原标题：天合光能申请太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统专利，电池效率较高