近日，捷佳伟创常州HJT中试线成功研发出具有行业先进水平的射频(RF)微晶P工艺，微晶P薄膜沉积速率超过2埃/秒，同时晶化率稳定在50%以上。常州中试线制备的基于双面微晶12BB异质结电池平均效率达到25.1%（德国ISFH标准），良率在98%以上。

射频微晶P的高速高质量沉积，一直是困扰异质结大产能板式PECVD的技术难点，通过本次技术突破，捷佳伟创的大产能射频板式PECVD预计将比市面上主流设备减少1-2个微晶P腔体。射频微晶P设备工艺均匀性达到6%以内，稳定性和重复性均在中试线量产设备上得到充分验证，达到了行业先进技术水平。

此次射频微晶P高速率高晶化率工艺取得突破，进一步增强了公司在HJT设备领域的竞争优势。捷佳伟创始终坚持实干与创新为一体，坚持 “逢山开路，遇河架桥” 的创新精神，积极改革设备技术、持续扩大研发范围，为光伏行业的稳定发展注入源动能。

原标题：捷佳伟创射频微晶P高速率高晶化率镀膜工艺再获突破