表面漏浆是指电池片在印刷前有隐裂，印刷时隐裂处沾染上铝浆，烧结时铝浆随银浆一起被烧进PN结，而导致PN结被烧穿，引起的漏电如图8所示。平面图上明显看到浆料（红色线条包围的区域），这些浆料以铝浆为主。
4、其他原因造成的漏电 Si3N4颗粒有可能造成漏电如图9所示，Si3N4颗粒主要来源：1）铸造多晶硅时在坩埚表面喷涂的Si3N4脱落融入硅锭所致；2）镀膜时SiH4的含量偏高，形成Si3N4颗粒。Si3N4颗粒的晶粒贯穿电池片的层错，使PN结导通而导致漏电。

晶界缺陷有可能造成漏电如图10所示，其原因主要为1）杂质原子容易在晶界位置集中，形成各类缺陷和复合中心；2）高温扩散的原子也容易沿着位错和晶界形成微小的桥路漏电。

三、结论

分析了晶体硅硅片及电池生产阶段可能产生的漏电原因及预防措施。在电池生产过程中产生漏电的主要原因为：1）刻蚀不完全或未刻蚀2）点状烧穿3）印刷擦片或漏浆等，严重影响电池片的品质。在分析过程中还发现Si3N4颗粒、多晶晶界等也有可能造成电池片漏电，在以后的研究中也需要重点关注。