图3（a）所示的是d1约为80μm时铝层下形成的共晶层。图3（b）所示的是硅的浓度，符合以LCO为基础的高斯拟合，左边和右边都减小到预计的扩散极限375μm。从高斯拟合来看，最大浓度代表了27个计数，而扩散极值处（d2-d1）/2的浓度大约代表了3个计数。在硅的扩散区间（距离LCO375μm）中，对于高烧结峰值温度950℃，C[（d2-d1）/2]/C0=11.11%的硅浓度一直呈现在铝层中，BSF同样是在这样的接触下形成，深达8μm。

图3（c）所示的是在这样的接触下没有形成共晶层而是形成了空穴。这种情况下，铝被储存在一个宽广的接触开缝（d1约为125μm）而且在高烧结峰值温度下烧结（迅速冷却）。通常在这种样品的LCO中会存在空穴，这是由于冷却时时间太短。图3（d）所示的是存在空穴的样品中铝层中的硅成分，描述了在接触开缝的中心和距离接触开缝中心大于150μm的两个极大值处更高浓度形成的不规则形式。这种现象可以由硅和铝之间的接触形成的以下模型解释。

硅-铝层的形成从铝的熔化开始。液体铝浸润电介质的开缝的硅表面，然后硅在铝层中溶解，硅中铝渗透的深度是关于温度和铝球直径的函数。在烧结峰值温度为950℃时，渗透深度是20μm，如图3（a）和图3（c）所示。因为硅在铝中的溶解度比铝在硅中的溶解度要高，所以硅原子在铝中扩散的体积比铝原子在硅中的大。如果烧结峰值温度太高，扩散会加快，而且硅在铝层中扩散的会更深。界面处，首先铝直接和大部分硅接触，并处于饱和状态，然后硅扩散过程从大量的液体铝质量的横向界面的边界（没有饱和的硅）开始，几秒过后，在距离接触面大于370μm的铝层中可以发现大量的硅原子。P型硅（BSF）在渗透时大量铝原子的出现直接变换了邻近表面，一旦烧结峰值温度达到最大值，液体溶解就会达到饱和。