5.0测试暗电流的目的

（1） 防止击穿

如果电池片做成组件时，电池片的正负极被接反，或者组件被加上反偏电压时，由于电池片的暗电流过大，电流叠加后会迅速的将电池片击穿，不过这样的情况很少发生，所以测试暗电流在这方面作用不是很大。

（2）监控工艺

当电池片工艺流程结束后，可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺的问题，前面说过，暗电流是由反向饱和电流和薄层漏电流以及体漏电流组成的，分别用J1，J2，J3表示，当我们给片子加反偏电压时，暗电流随电压的升高而升高，分3个区，1区暗电流由J2起支配作用，2区由J3起支配作用，3区由J1起支配作用，3个区的分界点由具体的测试电压而决定的。为什么暗电流会随电压升高而增大呢？当有电压加在片子上时，对硅片有了电注入，电注入激发出非平衡载流子，电压越大激发的非平衡载流子越多，形成的暗电流越大，暗电流的增长速度随电压越大而变慢，直到片子被击穿。一般我们测试暗电流的标准电压为12V，测得的曲线和标准的曲线相比后，可以的出片子的基本情况。如在1区发现暗电流过大则对应的薄层区出了问题，2区暗电流过大，说明问题出在体区，同样3区出现问题，说明PN做的有问题，扩散，丝网印刷，温度等参数都会影响暗电流，只要知道哪出了问题，就可以根据这去找出问题的原因，所以测试暗电流对工艺的研究是很有用的。（作者微信公众账号：光伏经验网）



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