（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级

品的要求；

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于16和14PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于2和18PPMA；

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17.5%和18.5%；

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；

5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%。

6.含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于98%。

（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%；

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。

（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%，25 年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25 年内不高于20%。

三、资源综合利用及能耗

（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。

（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：

1.现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克，综合电耗小于120 千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克，综合电耗小于100 千瓦时/千克；

2.现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7 千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5 千瓦时/千克；

3.现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克；

4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合耗小于40 万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35 万千瓦时/百万片；

5.电池项目平均综合能耗小于12万千瓦时/MWp；