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iDEAL推出SuperQ™技术 开创硅功率器件性能新时代
日期:2023-05-17   [复制链接]
责任编辑:sy_chenglingyan 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]
iDEAL Semiconductor推出SuperQ™技术,开创硅功率器件性能新时代

该技术突破了限制硅技术发展的障碍,为客户提供了效率更高、体积更小、成本更低的产品

宾夕法尼亚州利哈伊谷2023年5月16日/美通社/ --专注于提供突破性电源效率的无晶圆厂半导体公司iDEAL Semiconductor今天宣布其专利的SuperQ技术全面上市。 SuperQ可在许多应用中减少功率损耗,包括数据中心、电动汽车、太阳能电池板、电机驱动、医疗设备和白色家电。其更高的效率减少了碳足迹,以实现更可持续的未来。

iDEAL的工程师和科学家改造了功率器件架构,在性能上实现了阶梯式提升。该技术基于占全球半导体制造能力95%的硅,并与未来的功率半导体材料向前兼容。

在过去20年中,基本功率半导体结构的创新有限,硅功率器件的性能已经趋于稳定。进一步提高性能的尝试集中在材料方面,而不是扩大硅的极限。通过原子级的科学研究和工程设计,iDEAL Semiconductor创造了一种新颖的架构,设定了性能的下一个前沿,并推翻了该行业已经走到硅进步之路尽头的观点。

iDEAL Semiconductor首席执行官兼联合创始人Mark Granahan说:"iDEAL Semiconductor是为数不多的专注于制造功率器件工艺和架构的公司之一。我们对硅的改进可以与其他材料提供的改进相媲美,但具有硅的可制造性、可用性和可靠性。通过在美国与应用材料公司(Applied Materials)和Polar Semiconductor的合作,我们实现了以前难以想象的性能提升。不论材料如何,我们解决了对功率器件日益增长的需求。随着当前全球对更绿色未来的推动,我们非常兴奋能在让产品更具可持续性方面发挥作用,同时也展示了对美国半导体行业的投资可以实现的成就。"

通过原子水平的科学和工程实现,SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。该技术最初针对高达850伏(V)的电压,为系统工程师提供改进的功率半导体器件,例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。例如,基于SuperQ的200V MOSFET的电阻比现有硅低6倍,比氮化镓低1.6倍。采用SuperQ技术设计的电机驱动逆变器可节省高达50%的功率损耗。该技术是使用最先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)设备制造的。

此次发布是在C轮融资之后进行的,使总投资超过了7500万美元。iDEAL的投资者是总部位于美国的高净值家族办公室和成功企业家,他们对发展美国国内半导体行业兴趣浓厚。利用这笔资金,iDEAL Semiconductor正在积极扩大其招聘、产品扩散和美国制造能力。 

原标题:iDEAL推出SuperQ™技术 开创硅功率器件性能新时代
 
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来源:美通社
 
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